院况简介
1949年,伴随着新中国的诞生,中国科学院成立。
作为国家在科学技术方面的最高学术机构和全国自然科学与高新技术的综合研究与发展中心,建院以来,中国科学院时刻牢记使命,与科学共进,与祖国同行,以国家富强、人民幸福为己任,人才辈出,硕果累累,为我国科技进步、经济社会发展和国家安全做出了不可替代的重要贡献。 更多简介 +
院领导集体
创新单元
科技奖励
科技期刊
工作动态/ 更多
中国科学院学部
中国科学院院部
语音播报
近日,中国科学院工程热物理研究所在单层硫化钼薄膜热整流研究中取得进展。近年来,二维材料受到关注,如石墨烯,二硫化钼和黑磷等。二硫化钼薄膜因其独特的电学和热学性质,在电池、氢存储等领域有广泛的应用前景。化学气相沉积生长的单层硫化钼结构,与用于电整流的二极管相似,因此在热整流应用中具有潜在优势。热整流现象是传热系统中的一种特殊行为,其定义为在相同条件下,一个方向的热流大于相反方向的热流。热整流效应由于其在热流定向传输中的潜在应用而受到关注。
中国科学院工程热物理研究所储能研发中心对二硫化钼薄膜的热导率测量及整流效应进行了研究。研究人员采用掩膜版光刻技术制备了一种可用于低维材料热导率测量的悬空微电极,如图1所示。结合谐波探测原理对单层硫化钼薄膜面向热导正反两向进行测量,并获得热整流系数,如图2所示。结果显示,三个单层二硫化钼样品的热导率与文献中的数值接近,其热整流系数值分别是10~13%,11~14%和69~70%。实验证实了热整流效应与加热功率无关,微/纳米结构的不对称性是实现热整流的重要原因。结合模拟计算揭示了硫化钼薄膜热整流效应与样品的不对称性之间的构效关系(图3所示),为二硫化钼薄膜在热整流器件及装置的设计和应用提供了重要基础和依据。
相关研究工作受到国家重点研发计划、国家自然科学基金、中科院科学人才计划、中科院国际合作局国际合作计划,以及分布式冷热电联供系统北京市重点实验室的支持。相关研究成果发表ACS Applied Materials & Interfaces上。
图1.用PMMA转移至电极的硫化钼薄膜
图2.热导率和热整流系数随电压变化关系
图3.不同角度的热整流系数及理论模型与实验结果的对比
© 1996 - 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002
地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864
电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)
编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn
© 1996 - 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002
地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864
电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)
编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn
© 1996 - 中国科学院 版权所有
京ICP备05002857号-1
京公网安备110402500047号
网站标识码bm48000002
地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864
电话:86 10 68597114(总机)
86 10 68597289(总值班室)
编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn