近日，中国科技大学国家同步辐射实验室用户微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室的研究人员，在深入研究不同转变机理的各种电阻转变型双稳态材料基础上，利用合肥光源的两次X射线曝光技术，成功研制了国内首个256位分子存储器电路。这一进展为我国分子电路的高集成度、高速度和低功耗的实现奠定了重要基础，有力推动了我国分子电子学的发展。