近日，高技术局组织专家对半导体所承担的知识创新工程重要方向项目——“氮化镓基激光器”进行了验收。以周寿桓院士为组长的8位专家组成的验收专家组充分肯定了该项目的研究成果，一致同意通过验收。

    项目在氮化镓基激光器的材料生长、器件工艺和测试技术等方面攻克了一系列技术难关，研制出的GaN材料的背景电子浓度小于5×1016/cm3，室温电子迁移率稳定在900cm2/V·S以上、达到国际先进水平，P型GaN空穴浓度达到5×1017/ cm3，电阻率小于1 ·cm。

    项目在国内首次研制成功了室温连续工作的氮化镓基激光器，条宽和条长分别为2.5m和800m，激射波长410nm，阈值电流110mA，阈值电流密度5.5kA/cm2，在150mA工作电流时，激光器的输出功率9.6mW，为研制实用化的激光器打下了坚实的基础。