在国家自然科学基金委、科技部和中国科学院的支持下，中科院化学所的宋延林研究员等从材料的结构功能设计出发，制备出一系列有特色的有机功能薄膜作为信息存储介质，并与国内外研究单位开展了广泛合作，利用扫描探针显微镜等技术实现超高密度信息存储，在《先进材料》(Advanced Materials)等重要学术期刊发表了一系列研究论文，受到了国内外同行的关注。

    他们合成了一种具有强电子给体和电子受体、物理化学性质稳定的有机分子，并在其规整薄膜上实现1.1纳米信息点的写入(Adv. Mater. 2003，15(22),1525-29)；通过分子间氢键和p-p相互作用自组装制备了超分子单晶薄膜，实现平均点径2.2纳米的信息点的写入，信息点间距可达1.0 nm (Adv. Mater. 2004,16(22),2018-21)；与华东理工大学合作，通过对材料结构的设计和改造，在热稳定的新型螺噁嗪薄膜上实现可擦写的多层高密度光学信息存储 (Adv. Mater. 2005，17(2),156-160) 和基于二噻吩基乙烯光开关的高信噪比光学信息存储(Chem. Mater. 2006, 18(2), 235-237)；与瑞士苏黎世理工学院合作，利用刚性结构和强推拉电子基团的分子，实现真空沉积自组装单晶薄膜的制备和超高密度信息存储 (Adv. Mater. 2005, 17, 2170-2173)。他们还通过对材料结构与光电性能关系的深入研究，利用同一材料实现了光电双重高密度信息存储(ChemPhysChem 2005, 6, 478-82)。

    在以上研究基础上，他们结合有机推拉电子基团的电学特性和氢键自组装特性，设计了具有推拉电子基团的有机分子4'-氰基-2,6-二甲基-4-羟基偶氮苯(CDHAB)，通过分子间氢键和p-p相互作用，成功地在高定向裂解石墨(HOPG)表面自组装制备出分子规整排列的晶态薄膜；通过在STM针尖和HOPG衬底之间施加电压脉冲，在CDHAB薄膜上实现纳米尺寸信息点的写入，信息点的平均直径达1.8纳米；通过在扫描探针显微镜(STM)针尖和HOPG衬底间施加反向电压脉冲，可以实现信息点的逐点擦除。他们还通过对宏观、微观I-V 曲线的测定，以及施加电压前后有机薄膜紫外光谱的变化对信息点产生的机理进行了深入分析。研究结果发表在近日出版的《先进材料》上 (Adv. Mater.2006,18(15),1983-1987)。

    该研究结果实现了自组装有机晶体薄膜上纳米尺度信息点的写入-擦除和再写入，为可擦写的超高密度信息存储材料的设计提供了新的思路和途径。