近日，中国科学院福建物质结构研究所研究员李广社和李莉萍共同领衔的课题组在带隙可控的一维ZnO基半导体材料的研究方面取得重要进展，系列研究结果发表在近期国际著名学术期刊《应用物理快报》上(Appl. Phys. Lett. 2006，88, Art No. 114103；2005, 87, Art No. 124101)。

    宽带半导体材料是近年来化学、物理和材料等研究的前沿内容之一,在光催化环境净化和自旋电子学等许多领域都有重要应用前景。目前，对宽带半导体材料的纳米结构和能带调控等方面的研究依然存在一些没有解决的关键问题，制约了其实际应用，如：一般宽带半导体材料的能带Eg为3.2 eV，决定了其只能吸收利用仅占太阳光辐射～5%的紫外光或紫外线部分；随着尺寸减小，大多数半导体材料都会出现带隙宽化，太阳能利用率更低。李广社研究员和李莉萍研究员共同领衔的课题组采用溶剂热技术，成功地制备了直径为5-40 nm的ZnO基纳米棒。该纳米半导体材料具有结构均匀、量子效应显著和带隙可控等特点。他们以黄光为探针，通过实验和理论分析研究了一维纳米半导体材料的带隙变化的物理原因。在此基础上，进一步通过晶体结构和电子相互作用的修饰，成功地实现了一维ZnO基纳米半导体材料的带隙窄化，最大窄化量达到15%以上。该研究工作为半导体带隙工程和技术应用提供了新思路，具有重要的科学意义与应用价值。Appl. Phys. Lett.审稿人给予了很高评价。研究结果发表后，很快被转载到专门用来介绍国际前沿研究焦点领域的最新一期Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology上(参见http://www.vjnano.org， 2006年3月27日)。