应中国科学院无机功能材料与器件重点实验室董显林研究员的邀请，日本富士通株式会社高级研究员王文生博士于11月6日访问了中国科学院上海硅酸盐研究所，并作了题为“铁电存储器及其最新动向”的学术报告。

　　王文生博士长期从事铁电体薄膜制备、半导体材料及工艺、铁电存储器以及半导体器件的研发，在半导体工艺和集成技术、铁电存储器和半导体集成电路技术方面取得了一系列重要成果，已申请日本、美国、英国、德国、法国、意大利、韩国、中国等国发明专利239项，授权174项。2013年获日本文部科学大臣奖、第61届电子科学与工程奖，2014作为第一完成人获日本科学技术奖。

　　王文生博士的报告系统介绍了目前各种商业化存储器的基本原理，详细分析了不同存储器的各自优势，重点介绍了铁电动态存储器（FRAM）在打印机墨盒识别系统、物流系统电子标签、物联网传感器、医疗系统等领域的应用。他还介绍了富士通半导体公司的发展历史和FRAM的生产历史，以及结合在研发过程中的实际案例，分享了通过技术创新和严谨的实验方法解决了存储器漏电流偏大等一系列技术难题，实现了铁电薄膜与半导体技术的高度集成化和铁电存储器的高可靠性，保证了日本富士通株式会社在世界铁电存储器领域拥有90%以上的市场份额。最后，王文生博士对未来铁电存储器的发展方向和新课题进行了展望，表示愿意与上海硅酸盐所在新型铁电薄膜材料及器件研发方面进行合作。