4月25日，莫斯科电子工程技术大学的A. M. Balbashov教授来中科院上海光学精密机械研究所进行学术交流，十余科研人员参加了交流会议。 

Balbashov教授是垂直结构光学浮区炉的发明人，其生产的浮区炉工作温度高达3000℃，可以在100大气压下工作，并且附有高温退火装置，因此，该浮区炉可以实现其他条件下无法实现的晶体生长。本次Balbashov教授作了题为Floating zone crystal growth under high pressure的学术报告，报告介绍了该浮区炉的原理、基本组件，以及氧化钛、氧化镓、YIG等晶体的生长工艺。中科院强激光材料重点实验室相关科研人员认真聆听了这场报告，并在会后对浮区炉生长晶体的过程中实际遇到的问题进行了有针对性问询，Balbashov教授对此进行了细致回答。