11月17日下午，美国麻省理工学院（MIT）材料科学工程系和微光子学研究中心资深科学家Jurgen Michel博士应邀来中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所进行学术交流活动，并作了一场题为Ge Optoelectronic Devices for Silicon Photonics的学术报告。报告会由器件部副主任秦华研究员主持。

报告系统介绍了应用于Si芯片系统的Ge光电子有源器件的最新研究成果，包括波导耦合Ge探测器、极低功率Ge调制器和第一个Ge激光器，特别详细介绍了基于磷掺杂应变Ge实现的Ge激光器理论模拟和实验过程。这是世界上第一个室温激射的Ge激光器，打破了间接禁带半导体不能激射的论断。报告会后，Jurgen Michel博士对在场师生提出的问题进行了详细的解答。

Jurgen Michel博士，麻省理工学院材料科学工程系和微光子学研究中心资深科学家，相继在德国Cologne大学和Paderborn大学获得物理学学士学位和应用物理学博士学位，之后，加入AT&T 贝尔实验室任博士后，主要研究半导体材料中缺陷反应和缺陷特性。1991年，Jurgen Michel博士加入麻省理工学院。从事Si基光子材料和器件以及先进太阳电池设计。目前，Jurgen Michel博士的主要兴趣是Si基片上WDM系统用器件、高效Ge探测器、调制器和激光器，旨在将Ge有源光电子器件嵌入Si CMOS芯片，实现片上光互联和光通信。迄今为止，Jurgen Michel博士发表200多篇专业科学论文，4篇专著， 18个授权专利和20多个发明专利。

Jurgen Michel博士作报告

报告会现场