11月15日，新加坡南洋理工大学周兴教授来中科院微电子研究所进行学术交流，并作了题为Unification of MOS Compact Models with the Unified Regional Modeling Approach的精彩报告。

报告中，周兴教授详细分析了目前已有的MOS模型以及各种模型的优缺点，并提出了一种集约模型——Xsim。Xsim集约模型通过同一区域化的方法，可以统一MOSFET模型。他认为，相比于其他MOSFET模型，Xsim集约模型在模拟和验证统一化的MOSFET架构中的一些现象和规律时，能同时兼顾新结构中的计算精度和计算速度，比如在部分耗尽（PD）、全耗尽（FD）、超薄体硅器件（UTB）、对称或非对称双栅结构（s-DG/a-DG）器件中的应用。并且，Xsim模型能以最少的物理参数来用于SPICE一类的仿真软件验证肖特基势垒型的MOSFET中的双极性电流和模拟不对称的源/漏MOSFET等。与会者纷纷表示很受启发，认为Xsim集约模型对以后的模型研究工作很有借鉴和参考价值。

周兴教授于1990年在罗切斯特大学获得博士学位。1992年加入南洋理工大学的电器与电子工程学院，现担任副教授。目前主要研究方向是集约模型电路模拟中的发展和应用。他曾经担任过斯坦福大学、广岛大学和马来西亚理工大学的客座教授。2002年至今，任集约模型座谈讨论会的主席。此外，还是IEEE Electron Devices Society（IEEE EDS）执行委员会的成员，从2000年开始，担任EDS的讲师。2007年至今，担任IEEE Electron Device Letters 期刊的编辑。