应中科院半导体研究所杨涛研究员的邀请，日本国立材料科学研究所（National Institute for Materials Science，简称NIMS）Yoshimasa Sugimoto教授于10月26日至28日来半导体所进行学术访问，并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作了题为Evolution of Nanophotonics Technology from Semiconductor Photonic Crystal Device to Metal Related Plasmonic/Metamaterial Device的学术报告。报告由杨涛研究员主持，半导体所相关领域的科研人员和研究生参加了此次学术报告会。

Yoshimasa Sugimoto教授首先简单介绍了NIMS的科研及实验室概况。然后，他详细报告了一种位置可控的半导体量子点形成新型生长技术，以及基于光子晶体和表面等离子体的新型微纳结构器件的设计与制作技术。基于上述先进的材料生长及微纳结构器件设计与制备技术，Yoshimasa Sugimoto教授的研究团队实现了基于半导体量子点和光子晶体的超小型、超低功耗全光Mach-Zehnder超快开关以及光触发器。此外，Yoshimasa Sugimoto教授还介绍了彩色光滤波器、光束控制器等新型的微纳结构器件。这些新型高性能的微纳结构器件在未来的通信、照明与显示以及交通安全等领域具有广泛应用前景。Yoshimasa Sugimoto教授的报告引起了参会人员的浓厚兴趣，与会人员积极提问讨论，现场气氛活跃。

Yoshimasa Sugimoto教授在访问半导体所期间，还参观了材料科学重点实验室和集成技术中心，并与材料科学重点实验室部分研究人员进行了深入的交流和座谈。此次学术活动对半导体所开展半导体纳米材料和器件方面的研究工作起到很好的借鉴作用，促进了半导体所在半导体纳米材料和器件方面的国际交流与合作。