报告会现场

8月16日下午，瑞典查尔姆斯理工大学(CTH) Wang Shumin教授和Zhao Huan博士到中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所进行学术交流活动，并作了两场题为Molecular Beam Epitaxy Growth ofGaSbBi and InSbBi 和Researches at TML for THz generation and detection的学术报告。

报告由苏州纳米所器件部董建荣研究员主持。Wang Shumin详细介绍了稀铋III-V半导体（包括GaSbBi，InSbBi等等）的MBE生长、最新结果、相关的问题及展望。Zhao Huan博士则介绍了Chalmers大学的太赫兹器件的研究，其中重点介绍了太赫兹混频，倍频器件的研究。

Wang Shumin是MBE技术方面的资深专家，是2006年国际MBE会议的程序委员会成员，曾为国际上一些研究机构评估项目和提供咨询。担任Applied Physics Letters、Journal of Crystal Growth、Physical Review B、Journal of Vacuum Science and Technology、Thin Solid Films 及Physica Scripta的审稿人，是IEEE高级会员，SPIE会员，在光通信激光器和大失配半导体材料生长及器件研究方面取得显著成果。