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日本东北大学Dirk Ehrentraut教授访问理化所
  文章来源:理化技术研究所 发布时间:2010-08-17 【字号: 小  中  大   

应中国科学院功能晶体与激光技术重点实验室邀请,日本东北大学(Tohoku University)Dirk Ehrentraut教授于8月16日访问中科院理化技术研究所,并作了题为Solvothermal Crystal Growth Technology for Bulk ZnO and GaN的学术报告,与相关领域的科研人员和研究生进行了探讨与交流。

Dirk教授回顾了近几十年来生长GaN晶体的主要方法,包括氢化物气相外延法,高温高压法,助溶剂法以及氨热法;重点介绍了近年来新发展的氨热法生长GaN晶体的研究进展,讨论了不同矿化剂种类、浓度等对晶体生长的影响;同时介绍了采用液相外延法生长ZnO晶体的研究进展以及最新的研究结果。

Dirk Ehrentraut教授的主要研究方向为纳米-块状氮化物晶体和氧化锌晶体的制备以及材料表征等。

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