马佐平教授作报告 

3月15日，应中科院微电子研究所所长叶甜春和“新器件及封装”创新团队邀请，美国耶鲁大学马佐平(Tso-Ping Ma)教授到微电子所进行了交流访问，并作了主题为Future CMOS Technology Based on III-V Semiconductor Channels的学术报告。

马佐平教授在报告中指出，在超高转换速度逻辑电路应用中，正在考虑将许多高迁移率沟道材料作为硅的替代材料。在该领域的领先研究者中，他预见只有III-V族半导体材料与Si的集成才能真正成为未来主流IC技术，特别是当这种替代沟道材料首先被需要时。

在研究中，他引入新型“单极”CMOS逻辑电路作为解决许多高电子迁移率III-V族半导体材料的低空穴迁移率问题的方法。因为在CMOS转换开关中，“单极”CMOS逻辑电路不需要p-沟道晶体管。另外，“单极”CMOS也可适用于难以同时进行p-型掺杂和n-型掺杂的其他材料，或者用于制备p-型和n-型接触。

访问期间，叶甜春、吴德馨院士、骆志炯研究员、尹海洲研究员、梁擎擎研究员、王文武研究员还就相关领域的技术问题与马佐平教授进行了热烈讨论和深入交流。

马佐平教授曾任耶鲁大学电子工程系系主任，现为耶鲁大学电子工程系Raymond John Wean 讲座教授，并担任微电子耶鲁研究中心共同主任，是美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士和电子与电机工程学会(IEEE) Fellow。其进行的研究工作对高科技产业有着重大影响，他的学生们也已成为半导体和计算机硬件领域的领军人物。马佐平曾获众多奖项，2005年获电子与电机工程学会“葛洛夫奖(Andrew S. Grove Award)”；2006年获美国半导体工业协会年度“学术研究奖(University Researcher Award)”；2008年获得康乃狄克州颁发的“科技勋章 (Connecticut Medal of Technology)”。